O transistor de potência RF GaN-on-Si atinge 500W para o radar

Chamada de MAGX-101214-500, uma maior eficiência de energia de 70% é reivindicada durante a operação pulsada de 50V.

"Fornecido em uma embalagem flangeada de cerâmica de pequena pegada e estruturas de correspondência de suporte que minimizam o tamanho do circuito, os transistores MAGX-101214-500 ajudam a habilitar sistemas de radar robustos e compactos sustentados por arquiteturas eficientes e simplificadas de resfriamento e fornecimento de energia", afirmou a empresa.

O transistor está em exibição na European Microwave Week (EuMW) em Nuremberg - stand 200.

Os produtos estão sendo amostrados agora, com lançamento de produção planejado no primeiro semestre do próximo ano.