ALD210800ASCL

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ALD210800ASCL

EXSHINE Modelo do Produto:EX-ALD210800ASCL
Fabricante Modelo do Produto:ALD210800ASCL
Fabricante / Marca:Advanced Linear Devices, Inc.
Descrição breve:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:ALD210800/A
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 10mV @ 10µA
Embalagem do dispositivo fornecedor 16-SOIC
Série EPAD®, Zero Threshold™
RDS ON (Max) @ Id, VGS 25 Ohm
Power - Max 500mW
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes 1014-1214
Temperatura de operação 0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 10 Weeks
Número de peça do fabricante ALD210800ASCL
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 5V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs -
Tipo FET 4 N-Channel, Matched Pair
Característica FET Logic Level Gate
Descrição expandida Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Surface Mount 16-SOIC
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 10.6V
Descrição MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 80mA

Outras

Pacote padrão 50
Outros nomes 1014-1214

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Distribuidor de Advanced Linear Devices Inc.

- A Advanced Linear Devices, Inc. (ALD) desenvolve e fabrica circuitos integrados analógicos CMOS de precisão de baixíssima potência, produtos de nível de placa relacionados e Módulos de Coleta de Energia e acessórios incorporando a exclusiva tecnologia EPAD® da empresa. Os produtos semicondutores padrão da ALD incluem um complemento completo de switches analógicos de baixa voltagem de baixa voltagem para injeção ultrabaixa de alta qualidade, conversores A / D de dupla inclinação e processadores digitais, comparadores de voltagem de precisão, precisão de trilho a trilho Amplificadores operacionais CMOS e temporizadores CMOS de baixo desvio com alta saída de descarga, bem como uma extensa seleção de modo aprimoramento, depleção e de limiar zero EPAD compatíveis com matrizes MOSFET de pequeno sinal.

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