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TCM300
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-TCM300 |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | TCM300 |
| Fabricante / Marca: | EnOcean |
| Descrição breve: | RF TXRX MODULE ISM<1GHZ |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Condição: | New and unused, Original |
| Download da Ficha Técnica: | TMC3x0(C)TCM300(C),320(C) User Manual |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
TCM300
Em estoque: 41820 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| Tensão - Fornecimento | 2.6 V ~ 4.5 V |
|---|---|
| Série | - |
| Interfaces Seriais | - |
| Sensibilidade | -96dBm |
| RF Família / Padrão | General ISM < 1GHz |
| Protocolo | - |
| Potência | 7dbm |
| Embalagem | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete | Module |
| Outros nomes | 1084-1011-6 |
| Temperatura de operação | -25°C ~ 85°C |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Modulação | ASK |
| Tamanho da memória | 32kB Flash, 2kB SRAM |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 12 Weeks |
| Número de peça do fabricante | TCM300 |
| Freqüência | 868MHz |
| Descrição | RF TXRX MODULE ISM<1GHZ |
| Taxa de dados | 125kbps |
| Atual - Transmitindo | 24mA |
| Atual - Recebimento | 33mA |
| Tipo de antena | Not Included |
Outras
| Pacote padrão | 1 |
|---|---|
| Outros nomes | 1084-1011-6 |
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Distribuidor de Enocean
- A EPC é líder em dispositivos de gerenciamento de energia baseados em nitreto de gálio no modo de aprimoramento. A EPC foi a primeira a introduzir FETs de gálio-nitreto sobre silício (eGaN) como substituições de potência MOSFET em aplicações como conversores DC-DC, transferência de energia sem fio, envelope de envelope, transmissão de RF, inversores de energia, tecnologia de sensoriamento remoto LiDAR) e amplificadores de áudio de classe D com desempenho de dispositivo muitas vezes superior aos melhores MOSFETs de energia de silício.