EXSHINE Modelo do Produto: | EX-TCM310U |
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Fabricante Modelo do Produto: | TCM310U |
Fabricante / Marca: | EnOcean |
Descrição breve: | RF TXRX MODULE ISM<1GHZ |
Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Condição: | New and unused, Original |
Download da Ficha Técnica: | TCM310(U)TCM310(U) User Manual |
Inscrição: | - |
Peso: | - |
Substituição Alternativa: | - |
Tensão - Fornecimento | 2.6 V ~ 3.5 V |
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Série | - |
Interfaces Seriais | UART |
Sensibilidade | -98dBm |
RF Família / Padrão | General ISM < 1GHz |
Protocolo | - |
Potência | 1dBm |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | Module |
Outros nomes | 1084-1024-2 S3053-K310 TCM 310U |
Temperatura de operação | 0°C ~ 65°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 4 (72 Hours) |
Modulação | FSK |
Tamanho da memória | - |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 12 Weeks |
Número de peça do fabricante | TCM310U |
Freqüência | 902MHz |
Descrição | RF TXRX MODULE ISM<1GHZ |
Taxa de dados | 125kbps |
Atual - Transmitindo | 24mA |
Atual - Recebimento | 33mA |
Tipo de antena | Not Included |
Outros nomes | 1084-1024-2 S3053-K310 TCM 310U |
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Pacote padrão | 250 |
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T / T (transferência bancária) Recebimento: 1-4 dias. |
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Paypal Recebendo: imediatamente. |
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Western Union Recebimento: 1-2 horas. |
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MoneyGram Recebimento: 1-2 horas. |
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Alipay Recebendo: imediatamente. |
DHL EXPRESS Prazo de entrega: 1-3 dias. |
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FEDEX EXPRESS Prazo de entrega: 1-3 dias. |
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UPS EXPRESS Prazo de entrega: 2-4 dias. |
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TNT EXPRESS Tempo de entrega: 3-6 dias. |
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EMS EXPRESS Tempo de entrega: 7-10 dias. |
- A EPC é líder em dispositivos de gerenciamento de energia baseados em nitreto de gálio no modo de aprimoramento. A EPC foi a primeira a introduzir FETs de gálio-nitreto sobre silício (eGaN) como substituições de potência MOSFET em aplicações como conversores DC-DC, transferência de energia sem fio, envelope de envelope, transmissão de RF, inversores de energia, tecnologia de sensoriamento remoto LiDAR) e amplificadores de áudio de classe D com desempenho de dispositivo muitas vezes superior aos melhores MOSFETs de energia de silício.