FDMC8010ET30

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EXSHINE Modelo do Produto:	EX-FDMC8010ET30
Fabricante Modelo do Produto:	FDMC8010ET30
Fabricante / Marca:	Fairchild/ON Semiconductor
Descrição breve:	MOSFET N-CH 30V 30A 8-PQFN
Status sem chumbo / Status RoHS:	Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:	New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:	FDMC8010ET30
Inscrição:	-
Peso:	-
Substituição Alternativa:	-

Disponibilidade em tempo real de

FDMC8010ET30
Em estoque: 66546000 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas

Descrição
Forma de pagamento
Remessa
Embalagem

Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor	8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Série	PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS	1.3 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max)	2.8W (Ta), 65W (Tc)
Embalagem	Original-Reel®
Caixa / Gabinete	8-PowerWDFN
Outros nomes	FDMC8010ET30DKR
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)	1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante	26 Weeks
Número de peça do fabricante	FDMC8010ET30
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5860pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs	94nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel
Característica FET	-
Descrição expandida	N-Channel 30V 30A (Ta), 174A (Tc) 2.8W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)	4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)	30V
Descrição	MOSFET N-CH 30V 30A 8-PQFN
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	30A (Ta), 174A (Tc)

Outras

Pacote padrão	1
Outros nomes	FDMC8010ET30DKR

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Distribuidor de Fairchild/ON Semiconductor

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