FQD12N20TM

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FQD12N20TM

EXSHINE Modelo do Produto:EX-FQD12N20TM
Fabricante Modelo do Produto:FQD12N20TM
Fabricante / Marca:Fairchild/ON Semiconductor
Descrição breve:MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:FQD12N20, FQU12N20D-PAK Tape and Reel Data
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FQD12N20TM
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor D-Pak
Série QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 280 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipação de energia (Max) 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes FQD12N20TM-ND
FQD12N20TMFSTR
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 6 Weeks
Número de peça do fabricante FQD12N20TM
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 910pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 200V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount D-Pak
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 200V
Descrição MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)

Outras

Outros nomes FQD12N20TM-ND

FQD12N20TMFSTR
Pacote padrão 2,500

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Distribuidor de Fairchild/ON Semiconductor

- O Grupo FDK visa contribuir para a realização de uma sociedade afluente da eletrônica, fabricando e fornecendo dispositivos eletrônicos e baterias que atendam às necessidades dos clientes. Mantendo nossa abordagem centrada no cliente, a FDK fornece produtos para aumentar o valor e a função dos produtos de nossos clientes. Nossas tecnologias de material, circuito e alta densidade são cultivadas há muito tempo e usam produtos ecologicamente corretos. Nós nos esforçamos para ser reconhecidos em todo o mundo como um dos melhores fornecedores de dispositivos essenciais e de ponta e para promover o progresso dessas tecnologias emergentes e, ao mesmo tempo, promover a proteção ambiental.

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