EXSHINE Modelo do Produto: | EX-FQH8N100C |
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Fabricante Modelo do Produto: | FQH8N100C |
Fabricante / Marca: | Fairchild/ON Semiconductor |
Descrição breve: | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 |
Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Condição: | New and unused, Original |
Download da Ficha Técnica: | FQH8N100C |
Inscrição: | - |
Peso: | - |
Substituição Alternativa: | - |
VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-247 |
Série | QFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 1.45 Ohm @ 4A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 225W (Tc) |
Embalagem | Tube |
Caixa / Gabinete | TO-247-3 |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 37 Weeks |
Número de peça do fabricante | FQH8N100C |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3220pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Descrição expandida | N-Channel 1000V (1kV) 8A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-247 |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 1000V (1kV) |
Descrição | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Pacote padrão | 30 |
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