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DB105G
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-DB105G |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | DB105G |
| Fabricante / Marca: | GeneSiC Semiconductor |
| Descrição breve: | DIODE BRIDGE 600V 1A DB |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Condição: | New and unused, Original |
| Download da Ficha Técnica: | DB105G~107GDB(S);MDBS;WOM Pkg Drawing |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
DB105G
Em estoque: 85708000 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| Tensão - Pico Reversa (Max) | 600V |
|---|---|
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se | 1.1V @ 1A |
| Tecnologia | Standard |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | DB |
| Série | - |
| Embalagem | Bulk |
| Caixa / Gabinete | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
| Outros nomes | DB105GGN |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 4 Weeks |
| Número de peça do fabricante | DB105G |
| Descrição expandida | Bridge Rectifier Single Phase 600V 1A Through Hole DB |
| Tipo Diode | Single Phase |
| Descrição | DIODE BRIDGE 600V 1A DB |
| Atual - dispersão reversa @ Vr | 10µA @ 600V |
| Atual - rectificada média (Io) | 1A |
Outras
| Pacote padrão | 2,500 |
|---|---|
| Outros nomes | DB105GGN |
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Distribuidor de GeneSiC Semiconductor
- A Global Power Technologies Group, Inc. (“GPTG”), fundada em 2007, é uma empresa de desenvolvimento e fabricação integrada dedicada a produtos baseados em tecnologias de Carbeto de Silício (SiC). Esses produtos serão fundamentais para as indústrias de eletrônica de potência e energia nos próximos anos, onde tecnologias avançadas são necessárias para geração, conversão e transmissão de energia de baixo custo e alta eficiência.