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GBL10
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-GBL10 |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | GBL10 |
| Fabricante / Marca: | GeneSiC Semiconductor |
| Descrição breve: | DIODE BRIDGE 1000V 4A GBL |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Condição: | New and unused, Original |
| Download da Ficha Técnica: | GBL06~10GBL,KBP(M),KBL Pkg Drawing |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
GBL10
Em estoque: 40631000 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| Tensão - Pico Reversa (Max) | 1000V |
|---|---|
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se | 1.1V @ 4A |
| Tecnologia | Standard |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | GBL |
| Série | - |
| Embalagem | Bulk |
| Caixa / Gabinete | 4-SIP, GBL |
| Outros nomes | GBL10GN |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 4 Weeks |
| Número de peça do fabricante | GBL10 |
| Descrição expandida | Bridge Rectifier Single Phase 1000V 4A Through Hole GBL |
| Tipo Diode | Single Phase |
| Descrição | DIODE BRIDGE 1000V 4A GBL |
| Atual - dispersão reversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
| Atual - rectificada média (Io) | 4A |
Outras
| Pacote padrão | 500 |
|---|---|
| Outros nomes | GBL10GN |
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Distribuidor de GeneSiC Semiconductor
- A Global Power Technologies Group, Inc. (“GPTG”), fundada em 2007, é uma empresa de desenvolvimento e fabricação integrada dedicada a produtos baseados em tecnologias de Carbeto de Silício (SiC). Esses produtos serão fundamentais para as indústrias de eletrônica de potência e energia nos próximos anos, onde tecnologias avançadas são necessárias para geração, conversão e transmissão de energia de baixo custo e alta eficiência.