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GBPC25010T
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-GBPC25010T |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | GBPC25010T |
| Fabricante / Marca: | GeneSiC Semiconductor |
| Descrição breve: | DIODE BRIDGE 1000V 25A GBPC-T/W |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Condição: | New and unused, Original |
| Download da Ficha Técnica: | GBPC2506T/W ~ 2510T/WKBPC-(T,W)(-1);GBPC-T Pkg Dwg |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
GBPC25010T
Em estoque: 42290 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| Tensão - Pico Reversa (Max) | 1000V |
|---|---|
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se | 1.1V @ 12.5A |
| Tecnologia | Standard |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | GBPC |
| Série | - |
| Embalagem | Bulk |
| Caixa / Gabinete | 4-Square, GBPC |
| Outros nomes | GBPC25010T/WGN GBPC25010T/WGN-ND GBPC25010TW |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | QC Terminal |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 4 Weeks |
| Número de peça do fabricante | GBPC25010T |
| Descrição expandida | Bridge Rectifier Single Phase 1000V 25A QC Terminal GBPC |
| Tipo Diode | Single Phase |
| Descrição | DIODE BRIDGE 1000V 25A GBPC-T/W |
| Atual - dispersão reversa @ Vr | 5µA @ 100V |
| Atual - rectificada média (Io) | 25A |
Outras
| Outros nomes | GBPC25010T/WGN GBPC25010T/WGN-ND GBPC25010TW |
|---|---|
| Pacote padrão | 200 |
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EMS EXPRESS Tempo de entrega: 7-10 dias. |
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CenárioMfg. Part NumberFabricantesDescrição breveFicha de dadosEm estoquePreço do itemPeça online -
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Distribuidor de GeneSiC Semiconductor
- A Global Power Technologies Group, Inc. (“GPTG”), fundada em 2007, é uma empresa de desenvolvimento e fabricação integrada dedicada a produtos baseados em tecnologias de Carbeto de Silício (SiC). Esses produtos serão fundamentais para as indústrias de eletrônica de potência e energia nos próximos anos, onde tecnologias avançadas são necessárias para geração, conversão e transmissão de energia de baixo custo e alta eficiência.