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GBU4M

EXSHINE Modelo do Produto:EX-GBU4M
Fabricante Modelo do Produto:GBU4M
Fabricante / Marca:GeneSiC Semiconductor
Descrição breve:DIODE BRIDGE 1000V 4A GBU
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:GBU4J~4MKBJ($A),KBJ_GBJ(xA),GBPC-W,GBU Dwg
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GBU4M
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Parâmetro do produto

Tensão - Pico Reversa (Max) 1000V
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se 1.1V @ 4A
Tecnologia Standard
Embalagem do dispositivo fornecedor GBU
Série -
Embalagem Bulk
Caixa / Gabinete 4-SIP, GBU
Outros nomes GBU4MGN
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 4 Weeks
Número de peça do fabricante GBU4M
Descrição expandida Bridge Rectifier Single Phase 1000V 4A Through Hole GBU
Tipo Diode Single Phase
Descrição DIODE BRIDGE 1000V 4A GBU
Atual - dispersão reversa @ Vr 5µA @ 1000V
Atual - rectificada média (Io) 4A

Outras

Pacote padrão 500
Outros nomes GBU4MGN

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Distribuidor de GeneSiC Semiconductor

- A Global Power Technologies Group, Inc. (“GPTG”), fundada em 2007, é uma empresa de desenvolvimento e fabricação integrada dedicada a produtos baseados em tecnologias de Carbeto de Silício (SiC). Esses produtos serão fundamentais para as indústrias de eletrônica de potência e energia nos próximos anos, onde tecnologias avançadas são necessárias para geração, conversão e transmissão de energia de baixo custo e alta eficiência.

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