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MBR20045CT
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-MBR20045CT |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | MBR20045CT |
| Fabricante / Marca: | GeneSiC Semiconductor |
| Descrição breve: | DIODE MODULE 45V 200A 2TOWER |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Condição: | New and unused, Original |
| Download da Ficha Técnica: | MBR20045CT ~ 200100CTRTwin Tower Pkg Drawing |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
MBR20045CT
Em estoque: 50970 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se | 650mV @ 100A |
|---|---|
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max) | 45V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | Twin Tower |
| Velocidade | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série | - |
| Embalagem | Bulk |
| Caixa / Gabinete | Twin Tower |
| Outros nomes | MBR20045CTGN |
| Tipo de montagem | Chassis Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 4 Weeks |
| Número de peça do fabricante | MBR20045CT |
| Descrição expandida | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 45V 200A (DC) Chassis Mount Twin Tower |
| Tipo Diode | Schottky |
| configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
| Descrição | DIODE MODULE 45V 200A 2TOWER |
| Atual - dispersão reversa @ Vr | 5mA @ 20V |
| Atual - rectificada média (Io) (por Diode) | 200A (DC) |
Outras
| Outros nomes | MBR20045CTGN |
|---|---|
| Pacote padrão | 25 |
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CenárioMfg. Part NumberFabricantesDescrição breveFicha de dadosEm estoquePreço do itemPeça online -
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Distribuidor de GeneSiC Semiconductor
- A Global Power Technologies Group, Inc. (“GPTG”), fundada em 2007, é uma empresa de desenvolvimento e fabricação integrada dedicada a produtos baseados em tecnologias de Carbeto de Silício (SiC). Esses produtos serão fundamentais para as indústrias de eletrônica de potência e energia nos próximos anos, onde tecnologias avançadas são necessárias para geração, conversão e transmissão de energia de baixo custo e alta eficiência.