MURTA200120R

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MURTA200120R

EXSHINE Modelo do Produto:EX-MURTA200120R
Fabricante Modelo do Produto:MURTA200120R
Fabricante / Marca:GeneSiC Semiconductor
Descrição breve:DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:MURTA20060 thru MURTA200120R
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Parâmetro do produto

Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se 2.6V @ 100A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max) 1200V (1.2kV)
Embalagem do dispositivo fornecedor Three Tower
Velocidade Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Série -
Embalagem Bulk
Caixa / Gabinete Three Tower
Temperatura de Operação - Junção -55°C ~ 150°C
Tipo de montagem Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 4 Weeks
Número de peça do fabricante MURTA200120R
Descrição expandida Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 1200V (1.2kV) 100A Chassis Mount Three Tower
Tipo Diode Standard
configuração de diodo 1 Pair Common Anode
Descrição DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
Atual - dispersão reversa @ Vr 25µA @ 1200V
Atual - rectificada média (Io) (por Diode) 100A

Outras

Pacote padrão 18

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Distribuidor de GeneSiC Semiconductor

- A Global Power Technologies Group, Inc. (“GPTG”), fundada em 2007, é uma empresa de desenvolvimento e fabricação integrada dedicada a produtos baseados em tecnologias de Carbeto de Silício (SiC). Esses produtos serão fundamentais para as indústrias de eletrônica de potência e energia nos próximos anos, onde tecnologias avançadas são necessárias para geração, conversão e transmissão de energia de baixo custo e alta eficiência.

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