71256L25YGI

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EXSHINE Modelo do Produto:	EX-71256L25YGI
Fabricante Modelo do Produto:	71256L25YGI
Fabricante / Marca:	IDT (Integrated Device Technology)
Descrição breve:	IC SRAM 256KBIT 25NS 28SOJ
Status sem chumbo / Status RoHS:	Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:	New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:	IDT71256S, L
Inscrição:	-
Peso:	-
Substituição Alternativa:	-

Disponibilidade em tempo real de

71256L25YGI
Em estoque: 87250 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas

Descrição
Forma de pagamento
Remessa
Embalagem

Parâmetro do produto

Tensão - Fornecimento	4.5 V ~ 5.5 V
Embalagem do dispositivo fornecedor	28-SOJ
Velocidade	25ns
Série	-
Embalagem	Tube
Caixa / Gabinete	28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Outros nomes	800-1424 800-1424-5 800-1424-ND IDT71256L25YGI
Temperatura de operação	-40°C ~ 85°C (TA)
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)	3 (168 Hours)
Tipo de memória	Volatile
Tamanho da memória	256Kb (32K x 8)
Formato de memória	SRAM
Tempo de entrega padrão do fabricante	7 Weeks
Número de peça do fabricante	71256L25YGI
Interface	Parallel
Descrição	IC SRAM 256KBIT 25NS 28SOJ

Outras

Pacote padrão	270
Outros nomes	800-1424 800-1424-5 800-1424-ND IDT71256L25YGI

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Distribuidor de IDT, Integrated Device Technology Inc

- A Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) é líder em tecnologia que projeta, desenvolve e comercializa circuitos integrados de alto desempenho para os seguintes principais mercados: (i) automotivo, (ii) comunicações, (iii) consumidor digital e ( iv) industrial e médico. Seus principais produtos são SRAM de alta velocidade e baixa potência e DRAM de baixa e média densidade. A empresa também projeta e comercializa produtos flash NOR e circuitos integrados de sinal analógico e misto de alto desempenho. Eles têm como alvo mercados de alto crescimento com nossos produtos semicondutores econômicos e de alta qualidade e buscam construir relacionamentos de longo prazo com nossos clientes. Eles têm sido um fornecedor de longo prazo comprometido com produtos de memória, incluindo produtos de menor densidade e menor volume, mesmo em períodos de grande capacidade de produção.

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