AUIRF9952Q

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AUIRF9952Q

EXSHINE Modelo do Produto:EX-AUIRF9952Q
Fabricante Modelo do Produto:AUIRF9952Q
Fabricante / Marca:Infineon Technologies
Descrição breve:MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-SO
Série HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 100 mOhm @ 2.2A, 10V
Power - Max 2W
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes SP001519192
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante AUIRF9952Q
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Tipo FET N and P-Channel
Característica FET Logic Level Gate
Descrição expandida Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30V
Descrição MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 3.5A, 2.3A

Outras

Pacote padrão 95
Outros nomes SP001519192

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