BSC0500NSIATMA1

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BSC0500NSIATMA1

EXSHINE Modelo do Produto:EX-BSC0500NSIATMA1
Fabricante Modelo do Produto:BSC0500NSIATMA1
Fabricante / Marca:Infineon Technologies
Descrição breve:MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TDSON-8
Série OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS 1.3 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete 8-PowerTDFN
Outros nomes SP001288136
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 16 Weeks
Número de peça do fabricante BSC0500NSIATMA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3300pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 30V 35A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30V
Descrição MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 35A (Ta), 100A (Tc)

Outras

Pacote padrão 5,000
Outros nomes SP001288136

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