BSC16DN25NS3 G

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BSC16DN25NS3 G

EXSHINE Modelo do Produto:EX-BSC16DN25NS3 G
Fabricante Modelo do Produto:BSC16DN25NS3 G
Fabricante / Marca:Infineon Technologies
Descrição breve:MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
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BSC16DN25NS3 G
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 32µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TDSON-8
Série OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS 165 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipação de energia (Max) 62.5W (Tc)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete 8-PowerTDFN
Outros nomes BSC16DN25NS3G
BSC16DN25NS3GATMA1
BSC16DN25NS3GTR
SP000781782
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 16 Weeks
Número de peça do fabricante BSC16DN25NS3 G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 11.4nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 250V 10.9A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 250V
Descrição MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 10.9A (Tc)

Outras

Pacote padrão 5,000
Outros nomes BSC16DN25NS3G

BSC16DN25NS3GATMA1

BSC16DN25NS3GTR

SP000781782

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