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BSO211PNTMA1
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-BSO211PNTMA1 |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | BSO211PNTMA1 |
| Fabricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Descrição breve: | MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Contém chumbo / RoHS não compatível |
| Condição: | New and unused, Original |
| Download da Ficha Técnica: | BSO211P |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
BSO211PNTMA1
Em estoque: 18055000 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 25µA |
|---|---|
| Embalagem do dispositivo fornecedor | P-DSO-8 |
| Série | OptiMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V |
| Power - Max | 2W |
| Embalagem | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Outros nomes | BSO211PINCT |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante | BSO211PNTMA1 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 15V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 23.9nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Descrição expandida | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.7A 2W Surface Mount P-DSO-8 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 20V |
| Descrição | MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 4.7A |
Outras
| Outros nomes | BSO211PINCT |
|---|---|
| Pacote padrão | 1 |
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