BSO303PNTMA1

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BSO303PNTMA1

EXSHINE Modelo do Produto:EX-BSO303PNTMA1
Fabricante Modelo do Produto:BSO303PNTMA1
Fabricante / Marca:Infineon Technologies
Descrição breve:MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO
Status sem chumbo / Status RoHS:Contém chumbo / RoHS não compatível
Condição:New and unused, Original
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BSO303PNTMA1
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 100µA
Embalagem do dispositivo fornecedor P-DSO-8
Série OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS 21 mOhm @ 8.2A, 10V
Power - Max 2W
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes BSO303P
BSO303P-ND
BSO303PNT
BSO303PT
SP000012622
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante BSO303PNTMA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1761pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 72.5nC @ 10V
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate
Descrição expandida Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8.2A 2W Surface Mount P-DSO-8
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30V
Descrição MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 8.2A

Outras

Pacote padrão 2,500
Outros nomes BSO303P

BSO303P-ND

BSO303PNT

BSO303PT

SP000012622

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