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BTS282Z E3230
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-BTS282Z E3230 |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | BTS282Z E3230 |
| Fabricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Descrição breve: | MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Condição: | New and unused, Original |
| Download da Ficha Técnica: | BTS282Z |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
BTS282Z E3230
Em estoque: 31712 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 240µA |
|---|---|
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | PG-TO220-7-230 |
| Série | TEMPFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 6.5 mOhm @ 36A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 300W (Tc) |
| Embalagem | Tube |
| Caixa / Gabinete | TO-220-7 |
| Outros nomes | BTS282ZE3230 BTS282ZE3230AKSA1 BTS282ZE3230NK SP000012357 SP000457996 |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante | BTS282Z E3230 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 232nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | Temperature Sensing Diode |
| Descrição expandida | N-Channel 49V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-7-230 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 49V |
| Descrição | MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Outras
| Outros nomes | BTS282ZE3230 BTS282ZE3230AKSA1 BTS282ZE3230NK SP000012357 SP000457996 |
|---|---|
| Pacote padrão | 500 |
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CenárioMfg. Part NumberFabricantesDescrição breveFicha de dadosEm estoquePreço do itemPeça online -
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