IPA093N06N3GXKSA1

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IPA093N06N3GXKSA1

EXSHINE Modelo do Produto:EX-IPA093N06N3GXKSA1
Fabricante Modelo do Produto:IPA093N06N3GXKSA1
Fabricante / Marca:Infineon Technologies
Descrição breve:MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
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IPA093N06N3GXKSA1
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 34µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TO220-3-31 Full Pack
Série OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS 9.3 mOhm @ 40A, 10V
Dissipação de energia (Max) 33W (Tc)
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-220-3 Full Pack
Outros nomes IPA093N06N3 G
IPA093N06N3 G-ND
IPA093N06N3G
SP000451088
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 14 Weeks
Número de peça do fabricante IPA093N06N3GXKSA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3900pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 60V 43A (Tc) 33W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31 Full Pack
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 60V
Descrição MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 43A (Tc)

Outras

Pacote padrão 50
Outros nomes IPA093N06N3 G

IPA093N06N3 G-ND

IPA093N06N3G

SP000451088

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