IPB64N25S320ATMA1

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IPB64N25S320ATMA1

EXSHINE Modelo do Produto:EX-IPB64N25S320ATMA1
Fabricante Modelo do Produto:IPB64N25S320ATMA1
Fabricante / Marca:Infineon Technologies
Descrição breve:MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:IPB64N25S3-20
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TO263-3-2
Série OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS 20 mOhm @ 64A, 10V
Dissipação de energia (Max) 300W (Tc)
Embalagem Original-Reel®
Caixa / Gabinete TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes IPB64N25S320ATMA1DKR
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 14 Weeks
Número de peça do fabricante IPB64N25S320ATMA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7000pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 89nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 250V 64A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 250V
Descrição MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 64A (Tc)

Outras

Outros nomes IPB64N25S320ATMA1DKR
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