EXSHINE Modelo do Produto: | EX-IPD50R500CEBTMA1 |
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Fabricante Modelo do Produto: | IPD50R500CEBTMA1 |
Fabricante / Marca: | Infineon Technologies |
Descrição breve: | MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252 |
Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Condição: | New and unused, Original |
Download da Ficha Técnica: | 500V CoolMOS CE BriefIPD50R500CE Datasheet |
Inscrição: | - |
Peso: | - |
Substituição Alternativa: | - |
VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
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Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | PG-TO252-3 |
Série | CoolMOS™ |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 500 mOhm @ 2.3A, 13V |
Dissipação de energia (Max) | 57W (Tc) |
Embalagem | Original-Reel® |
Caixa / Gabinete | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Outros nomes | IPD50R500CEINDKR IPD50R500CEINDKR-ND |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Número de peça do fabricante | IPD50R500CEBTMA1 |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 433pF @ 100V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 18.7nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | Super Junction |
Descrição expandida | N-Channel 500V 7.6A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 500V |
Descrição | MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 7.6A (Tc) |
Pacote padrão | 1 |
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Outros nomes | IPD50R500CEINDKR IPD50R500CEINDKR-ND |
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