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IPG20N06S4L11ATMA1
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-IPG20N06S4L11ATMA1 |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | IPG20N06S4L11ATMA1 |
| Fabricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Descrição breve: | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Condição: | New and unused, Original |
| Download da Ficha Técnica: | IPG20N06S4L-11 |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
IPG20N06S4L11ATMA1
Em estoque: 64183000 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 28µA |
|---|---|
| Embalagem do dispositivo fornecedor | PG-TDSON-8-4 |
| Série | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 11.2 mOhm @ 17A, 10V |
| Power - Max | 65W |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | 8-PowerVDFN |
| Outros nomes | SP000705550 |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 26 Weeks |
| Número de peça do fabricante | IPG20N06S4L11ATMA1 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4020pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Descrição expandida | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-4 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 60V |
| Descrição | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 20A |
Outras
| Pacote padrão | 5,000 |
|---|---|
| Outros nomes | SP000705550 |
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CenárioMfg. Part NumberFabricantesDescrição breveFicha de dadosEm estoquePreço do itemPeça online -
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