IPI08CNE8N G

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IPI08CNE8N G

EXSHINE Modelo do Produto:EX-IPI08CNE8N G
Fabricante Modelo do Produto:IPI08CNE8N G
Fabricante / Marca:Infineon Technologies
Descrição breve:MOSFET N-CH 85V 95A TO262-3
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
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IPI08CNE8N G
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 130µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TO262-3
Série OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS 6.4 mOhm @ 95A, 10V
Dissipação de energia (Max) 167W (Tc)
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Outros nomes SP000208927
SP000680708
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante IPI08CNE8N G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6690pF @ 40V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 99nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 85V 95A (Tc) 167W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 85V
Descrição MOSFET N-CH 85V 95A TO262-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 95A (Tc)

Outras

Outros nomes SP000208927

SP000680708
Pacote padrão 500

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