IPP200N25N3 G

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IPP200N25N3 G

EXSHINE Modelo do Produto:EX-IPP200N25N3 G
Fabricante Modelo do Produto:IPP200N25N3 G
Fabricante / Marca:Infineon Technologies
Descrição breve:MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
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IPP200N25N3 G
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TO-220-3
Série OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS 20 mOhm @ 64A, 10V
Dissipação de energia (Max) 300W (Tc)
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-220-3
Outros nomes IPP200N25N3G
IPP200N25N3GXKSA1
SP000677894
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 12 Weeks
Número de peça do fabricante IPP200N25N3 G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7100pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 250V 64A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 250V
Descrição MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 64A (Tc)

Outras

Pacote padrão 500
Outros nomes IPP200N25N3G

IPP200N25N3GXKSA1

SP000677894

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