IPP50R190CE

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IPP50R190CE

EXSHINE Modelo do Produto:EX-IPP50R190CE
Fabricante Modelo do Produto:IPP50R190CE
Fabricante / Marca:Infineon Technologies
Descrição breve:MOSFET N-CH 500V 18.5A PG-TO-220
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
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IPP50R190CE
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 510µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TO-220-3
Série CoolMOS™ CE
RDS ON (Max) @ Id, VGS 190 mOhm @ 6.2A, 13V
Dissipação de energia (Max) 127W (Tc)
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-220-3
Outros nomes IPP50R190CEXKSA1
SP000850802
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 6 Weeks
Número de peça do fabricante IPP50R190CE
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1137pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 6.1nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 500V 18.5A (Tc) 127W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 13V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 500V
Descrição MOSFET N-CH 500V 18.5A PG-TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 18.5A (Tc)

Outras

Outros nomes IPP50R190CEXKSA1

SP000850802
Pacote padrão 50

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