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IPT60R028G7XTMA1
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-IPT60R028G7XTMA1 |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | IPT60R028G7XTMA1 |
| Fabricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Descrição breve: | MOSFET N-CH 650V 75A HSOF-8 |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Condição: | New and unused, Original |
| Download da Ficha Técnica: | IPT60R028G7 |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
IPT60R028G7XTMA1
Em estoque: 36110 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1.44mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | PG-HSOF-8 |
| Série | CoolMOS™ G7 |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 28 mOhm @ 28.8A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 391W (Tc) |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | 8-PowerSFN |
| Outros nomes | SP001579312 |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 12 Weeks |
| Número de peça do fabricante | IPT60R028G7XTMA1 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4820pF @ 400V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 123nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - |
| Descrição expandida | N-Channel 650V 75A (Tc) 391W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8 |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 650V |
| Descrição | MOSFET N-CH 650V 75A HSOF-8 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Outras
| Outros nomes | SP001579312 |
|---|---|
| Pacote padrão | 2,000 |
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