IPU135N03L G

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IPU135N03L G

EXSHINE Modelo do Produto:EX-IPU135N03L G
Fabricante Modelo do Produto:IPU135N03L G
Fabricante / Marca:Infineon Technologies
Descrição breve:MOSFET N-CH 30V 30A TO-251-3
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
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IPU135N03L G
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TO251-3
Série OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS 13.5 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max) 31W (Tc)
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Outros nomes IPU135N03LGIN
IPU135N03LGXK
SP000260752
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante IPU135N03L G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 30V 30A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30V
Descrição MOSFET N-CH 30V 30A TO-251-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)

Outras

Pacote padrão 1,500
Outros nomes IPU135N03LGIN

IPU135N03LGXK

SP000260752

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