IPU80R1K4P7AKMA1

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IPU80R1K4P7AKMA1

EXSHINE Modelo do Produto:EX-IPU80R1K4P7AKMA1
Fabricante Modelo do Produto:IPU80R1K4P7AKMA1
Fabricante / Marca:Infineon Technologies
Descrição breve:MOSFET N-CH 800V 4A IPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:IPU80R1K4P7
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 700µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TO251-3
Série CoolMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS 1.4 Ohm @ 1.4A, 10V
Dissipação de energia (Max) 32W (Tc)
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Outros nomes SP001422742
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 8 Weeks
Número de peça do fabricante IPU80R1K4P7AKMA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 500V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 10.05nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET Super Junction
Descrição expandida N-Channel 800V 4A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 800V
Descrição MOSFET N-CH 800V 4A IPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)

Outras

Outros nomes SP001422742
Pacote padrão 1,500

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