IRF6607TR1

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IRF6607TR1

EXSHINE Modelo do Produto:EX-IRF6607TR1
Fabricante Modelo do Produto:IRF6607TR1
Fabricante / Marca:Infineon Technologies
Descrição breve:MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:IRF6607
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IRF6607TR1
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor DIRECTFET™ MT
Série HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 3.3 mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max) 3.6W (Ta), 42W (Tc)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete DirectFET™ Isometric MT
Outros nomes SP001530714
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 3 (168 Hours)
Número de peça do fabricante IRF6607TR1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6930pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 4.5V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 30V 27A (Ta), 94A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30V
Descrição MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 27A (Ta), 94A (Tc)

Outras

Outros nomes SP001530714
Pacote padrão 1,000

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