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IRF6619
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-IRF6619 |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | IRF6619 |
| Fabricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Descrição breve: | MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Contém chumbo / RoHS não compatível |
| Condição: | New and unused, Original |
| Download da Ficha Técnica: | IRF6619 |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
IRF6619
Em estoque: 45490 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.45V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | DIRECTFET™ MX |
| Série | HEXFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 2.2 mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | DirectFET™ Isometric MX |
| Outros nomes | IRF6619TR SP001526848 |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Número de peça do fabricante | IRF6619 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5040pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - |
| Descrição expandida | N-Channel 20V 30A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 20V |
| Descrição | MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 30A (Ta), 150A (Tc) |
Outras
| Outros nomes | IRF6619TR SP001526848 |
|---|---|
| Pacote padrão | 4,800 |
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CenárioMfg. Part NumberFabricantesDescrição breveFicha de dadosEm estoquePreço do itemPeça online -
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