IRF6628TR1PBF

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IRF6628TR1PBF

EXSHINE Modelo do Produto:EX-IRF6628TR1PBF
Fabricante Modelo do Produto:IRF6628TR1PBF
Fabricante / Marca:Infineon Technologies
Descrição breve:MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:IRF6628(TR)PbF
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IRF6628TR1PBF
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor DIRECTFET™ MX
Série HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 2.5 mOhm @ 27A, 10V
Dissipação de energia (Max) 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete DirectFET™ Isometric MX
Outros nomes IRF6628TR1PBFTR
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante IRF6628TR1PBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3770pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 4.5V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 25V 27A (Ta), 160A (Tc) 2.8W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 25V
Descrição MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 27A (Ta), 160A (Tc)

Outras

Outros nomes IRF6628TR1PBFTR
Pacote padrão 1,000

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