IRF6635TRPBF

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IRF6635TRPBF

EXSHINE Modelo do Produto:EX-IRF6635TRPBF
Fabricante Modelo do Produto:IRF6635TRPBF
Fabricante / Marca:Infineon Technologies
Descrição breve:MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:IRF6635(TR)PbF
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IRF6635TRPBF
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor DIRECTFET™ MX
Série HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 1.8 mOhm @ 32A, 10V
Dissipação de energia (Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete DirectFET™ Isometric MX
Outros nomes IRF6635TRPBFTR
SP001523980
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 13 Weeks
Número de peça do fabricante IRF6635TRPBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5970pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 71nC @ 4.5V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 30V 32A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30V
Descrição MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 32A (Ta), 180A (Tc)

Outras

Pacote padrão 4,800
Outros nomes IRF6635TRPBFTR

SP001523980

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