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IRF6645
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-IRF6645 |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | IRF6645 |
| Fabricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Descrição breve: | MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Contém chumbo / RoHS não compatível |
| Condição: | New and unused, Original |
| Download da Ficha Técnica: | IRF6645 |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
IRF6645
Em estoque: 43799 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.9V @ 50µA |
|---|---|
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | DIRECTFET™ SJ |
| Série | HEXFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 35 mOhm @ 5.7A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 3W (Ta), 42W (Tc) |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | DirectFET™ Isometric SJ |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Número de peça do fabricante | IRF6645 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - |
| Descrição expandida | N-Channel 100V 5.7A (Ta), 25A (Tc) 3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SJ |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 100V |
| Descrição | MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 5.7A (Ta), 25A (Tc) |
Outras
| Pacote padrão | 4,800 |
|---|
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