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IRF9910
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-IRF9910 |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | IRF9910 |
| Fabricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Descrição breve: | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Lead free / RoHS non-compliant |
| Condição: | New and unused, Original |
| Download da Ficha Técnica: | IRF9910 |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
IRF9910
Em estoque: 49256 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
|---|---|
| Embalagem do dispositivo fornecedor | 8-SO |
| Série | HEXFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 13.4 mOhm @ 10A, 10V |
| Power - Max | 2W |
| Embalagem | Tube |
| Caixa / Gabinete | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Outros nomes | *IRF9910 |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante | IRF9910 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Descrição expandida | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A, 12A 2W Surface Mount 8-SO |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 20V |
| Descrição | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 10A, 12A |
Outras
| Outros nomes | *IRF9910 |
|---|---|
| Pacote padrão | 95 |
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