IRFR120NCPBF

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IRFR120NCPBF

EXSHINE Modelo do Produto:EX-IRFR120NCPBF
Fabricante Modelo do Produto:IRFR120NCPBF
Fabricante / Marca:Infineon Technologies
Descrição breve:MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:IRFR/U120NPbF
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IRFR120NCPBF
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Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas

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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor D-Pak
Série HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 210 mOhm @ 5.6A, 10V
Dissipação de energia (Max) 48W (Tc)
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante IRFR120NCPBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 100V 9.4A (Ta) 48W (Tc) Surface Mount D-Pak
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100V
Descrição MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 9.4A (Ta)

Outras

Pacote padrão 75

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