IRLH5030TRPBF

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IRLH5030TRPBF

EXSHINE Modelo do Produto:EX-IRLH5030TRPBF
Fabricante Modelo do Produto:IRLH5030TRPBF
Fabricante / Marca:Infineon Technologies
Descrição breve:MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
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IRLH5030TRPBF
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 150µA
Vgs (Max) ±16V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor PQFN (5x6)
Série HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 9 mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max) 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete 8-PowerVDFN
Outros nomes IRLH5030TRPBF-ND
IRLH5030TRPBFTR
SP001558752
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 16 Weeks
Número de peça do fabricante IRLH5030TRPBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5185pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 94nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 100V 13A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100V
Descrição MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 13A (Ta), 100A (Tc)

Outras

Pacote padrão 4,000
Outros nomes IRLH5030TRPBF-ND

IRLH5030TRPBFTR

SP001558752

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