IRLU3636PBF

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IRLU3636PBF

EXSHINE Modelo do Produto:EX-IRLU3636PBF
Fabricante Modelo do Produto:IRLU3636PBF
Fabricante / Marca:Infineon Technologies
Descrição breve:MOSFET N-CH 60V 50A IPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:IRL(R,U)3636PBF
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IRLU3636PBF
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor I-Pak
Série HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 6.8 mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max) 143W (Tc)
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Outros nomes SP001567320
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante IRLU3636PBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3779pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 4.5V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 60V 50A (Tc) 143W (Tc) Through Hole I-Pak
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 60V
Descrição MOSFET N-CH 60V 50A IPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)

Outras

Pacote padrão 75
Outros nomes SP001567320

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