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SPB02N60S5ATMA1
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-SPB02N60S5ATMA1 |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | SPB02N60S5ATMA1 |
| Fabricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Descrição breve: | MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263 |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Condição: | New and unused, Original |
| Download da Ficha Técnica: | SPB02N60S5 |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
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SPB02N60S5ATMA1
Em estoque: 27819000 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| VGS (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 80µA |
|---|---|
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | PG-TO263-3-2 |
| Série | CoolMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 3 Ohm @ 1.1A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 25W (Tc) |
| Embalagem | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Outros nomes | SPB02N60S5INDKR SPB02N60S5INDKR-ND |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante | SPB02N60S5ATMA1 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 240pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - |
| Descrição expandida | N-Channel 600V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 600V |
| Descrição | MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 1.8A (Tc) |
Outras
| Pacote padrão | 1 |
|---|---|
| Outros nomes | SPB02N60S5INDKR SPB02N60S5INDKR-ND |
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