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H11AV1X
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-H11AV1X |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | H11AV1X |
| Fabricante / Marca: | Isocom Components |
| Descrição breve: | OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Condição: | New and unused, Original |
| Download da Ficha Técnica: | H11AV1(X) - H11V3(X) |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
H11AV1X
Em estoque: 58158000 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| Tensão - Saída (Max) | 70V |
|---|---|
| Tensão - Isolamento | 5300Vrms |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Tipo) | 1.2V |
| Vce Saturação (Max) | 400mV |
| Ativar / Desativar o Tempo (Typ) | - |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | 6-DIP |
| Série | - |
| Aumento / tempo de queda (típico) | 2µs, 2µs |
| Embalagem | Tube |
| Caixa / Gabinete | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Tipo de saída | Transistor with Base |
| Outros nomes | H11AV1IS H11AV1IS-ND |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 100°C |
| Número de canais | 1 |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 2 Weeks |
| Número de peça do fabricante | H11AV1X |
| Tipo de entrada | DC |
| Descrição expandida | Optoisolator Transistor with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-DIP |
| Descrição | OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP |
| Taxa de transferência de corrente (Min) | 100% @ 10mA |
| Taxa de transferência de corrente (máx) | 300% @ 10mA |
| Atual - Saída / Canal | 50mA |
| Corrente - Avanço DC (Se) (Máx.) | 60mA |
Outras
| Pacote padrão | 1,040 |
|---|---|
| Outros nomes | H11AV1IS H11AV1IS-ND |
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Distribuidor de Isocom Components 2004 LTD
- A IXYS Corporation oferece uma ampla linha de Semicondutores de Alta Potência, incluindo MOSFETs de Potência de baixa resistência, IGBTs de comutação ultrarrápida, FREDs (Fast Recovery Diodes), Módulos SCR e Diode, Pontes Retificadores e CIs de Interface de Potência.