DTB713ZMT2L

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DTB713ZMT2L

EXSHINE Modelo do Produto:EX-DTB713ZMT2L
Fabricante Modelo do Produto:DTB713ZMT2L
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Descrição breve:TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:DTB713ZE/ZM
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DTB713ZMT2L
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Parâmetro do produto

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 30V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor VMT3
Série -
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms) 10k
Resistor - Base (R1) (Ohms) 1k
Power - Max 150mW
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete SOT-723
Outros nomes DTB713ZMT2LTR
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante DTB713ZMT2L
Frequência - Transição 260MHz
Descrição expandida Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount VMT3
Descrição TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 140 @ 100mA, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atual - Collector (Ic) (Max) 200mA

Outras

Outros nomes DTB713ZMT2LTR
Pacote padrão 8,000

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