EMZ7T2R

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EMZ7T2R

EXSHINE Modelo do Produto:EX-EMZ7T2R
Fabricante Modelo do Produto:EMZ7T2R
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Descrição breve:TRANS NPN/PNP 12V 0.5A 6EMT
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:EMZ7, UMZ7N
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EMZ7T2R
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Parâmetro do produto

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 12V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 200mA
Tipo transistor NPN, PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor EMT6
Série -
Power - Max 150mW
Embalagem Original-Reel®
Caixa / Gabinete SOT-563, SOT-666
Outros nomes EMZ7T2RDKR
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 10 Weeks
Número de peça do fabricante EMZ7T2R
Frequência - Transição 320MHz, 260MHz
Descrição expandida Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 12V 500mA 320MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6
Descrição TRANS NPN/PNP 12V 0.5A 6EMT
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 270 @ 10mA, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max) 500mA

Outras

Pacote padrão 1
Outros nomes EMZ7T2RDKR

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