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HP8K22TB
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-HP8K22TB |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | HP8K22TB |
| Fabricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
| Descrição breve: | 30V NCH+NCH MID POWER MOSFET |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Condição: | New and unused, Original |
| Download da Ficha Técnica: | HP8K22 |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
HP8K22TB
Em estoque: 86015000 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Embalagem do dispositivo fornecedor | 8-HSOP |
| Série | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 4.6 mOhm @ 20A, 10V |
| Power - Max | 25W |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | 8-PowerTDFN |
| Outros nomes | HP8K22TBTR |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 8 Weeks |
| Número de peça do fabricante | HP8K22TB |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1080pF @ 15V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 16.8nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica FET | - |
| Descrição expandida | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 27A, 57A 25W Surface Mount 8-HSOP |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 30V |
| Descrição | 30V NCH+NCH MID POWER MOSFET |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 27A, 57A |
Outras
| Outros nomes | HP8K22TBTR |
|---|---|
| Pacote padrão | 2,500 |
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