EXSHINE Modelo do Produto: | EX-QS8J2TR |
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Fabricante Modelo do Produto: | QS8J2TR |
Fabricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
Descrição breve: | MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8 |
Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Condição: | New and unused, Original |
Download da Ficha Técnica: | QS8J2 |
Inscrição: | - |
Peso: | - |
Substituição Alternativa: | - |
VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
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Embalagem do dispositivo fornecedor | TSMT8 |
Série | - |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 36 mOhm @ 4A, 4.5V |
Power - Max | 550mW |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | 8-SMD, Flat Lead |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 10 Weeks |
Número de peça do fabricante | QS8J2TR |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1940pF @ 6V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
Descrição expandida | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4A 550mW Surface Mount TSMT8 |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 12V |
Descrição | MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 4A |
Pacote padrão | 3,000 |
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