QS8J2TR

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QS8J2TR

EXSHINE Modelo do Produto:EX-QS8J2TR
Fabricante Modelo do Produto:QS8J2TR
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Descrição breve:MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
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QS8J2TR
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Embalagem do dispositivo fornecedor TSMT8
Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 36 mOhm @ 4A, 4.5V
Power - Max 550mW
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete 8-SMD, Flat Lead
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 10 Weeks
Número de peça do fabricante QS8J2TR
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1940pF @ 6V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate, 1.5V Drive
Descrição expandida Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4A 550mW Surface Mount TSMT8
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 12V
Descrição MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 4A

Outras

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