R5009FNJTL

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R5009FNJTL

EXSHINE Modelo do Produto:EX-R5009FNJTL
Fabricante Modelo do Produto:R5009FNJTL
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Descrição breve:MOSFET N-CH 500V 9A LPT
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:R5009FNJ
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R5009FNJTL
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500+:
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor LPTS
Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 840 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipação de energia (Max) 50W (Tc)
Embalagem Original-Reel®
Caixa / Gabinete SC-83
Outros nomes R5009FNJTLDKR
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 17 Weeks
Número de peça do fabricante R5009FNJTL
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 500V 9A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount LPTS
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 500V
Descrição MOSFET N-CH 500V 9A LPT
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)

Outras

Pacote padrão 1
Outros nomes R5009FNJTLDKR

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