R5207ANDTL

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R5207ANDTL

EXSHINE Modelo do Produto:EX-R5207ANDTL
Fabricante Modelo do Produto:R5207ANDTL
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Descrição breve:MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor CPT3
Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 1 Ohm @ 3.5A, 10V
Dissipação de energia (Max) 40W (Tc)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante R5207ANDTL
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 525V 7A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount CPT3
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 525V
Descrição MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 7A (Ta)

Outras

Pacote padrão 2,500

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