R6004ENJTL

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R6004ENJTL

EXSHINE Modelo do Produto:EX-R6004ENJTL
Fabricante Modelo do Produto:R6004ENJTL
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Descrição breve:MOSFET N-CH 600V 4A LPT
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
Download da Ficha Técnica:R6004ENJ
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor LPTS (D2PAK)
Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 980 mOhm @ 1.5A, 10V
Dissipação de energia (Max) 40W (Tc)
Embalagem Original-Reel®
Caixa / Gabinete TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes R6004ENJTLDKR
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 17 Weeks
Número de peça do fabricante R6004ENJTL
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 600V 4A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS (D2PAK)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 600V
Descrição MOSFET N-CH 600V 4A LPT
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)

Outras

Pacote padrão 1
Outros nomes R6004ENJTLDKR

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