R6011ENX

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R6011ENX

EXSHINE Modelo do Produto:EX-R6011ENX
Fabricante Modelo do Produto:R6011ENX
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Descrição breve:MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Status sem chumbo / Status RoHS:Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição:New and unused, Original
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Parâmetro do produto

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220FM
Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 390 mOhm @ 3.8A, 10V
Dissipação de energia (Max) 40W (Tc)
Embalagem Bulk
Caixa / Gabinete TO-220-3 Full Pack
Outros nomes R6011ENXCT
R6011ENXCT-ND
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 17 Weeks
Número de peça do fabricante R6011ENX
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 670pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Descrição expandida N-Channel 600V 11A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 600V
Descrição MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)

Outras

Outros nomes R6011ENXCT

R6011ENXCT-ND
Pacote padrão 500

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