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RJU002N06T106
| EXSHINE Modelo do Produto: | EX-RJU002N06T106 |
|---|---|
| Fabricante Modelo do Produto: | RJU002N06T106 |
| Fabricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
| Descrição breve: | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323 |
| Status sem chumbo / Status RoHS: | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Condição: | New and unused, Original |
| Download da Ficha Técnica: | RJU002N06 Datasheet |
| Inscrição: | - |
| Peso: | - |
| Substituição Alternativa: | - |
Disponibilidade em tempo real de
RJU002N06T106
Em estoque: 68083000 pcs pode enviar em 1-2 dias.
Estoque futuro: 12000 pcs em 7-10 dias.
Tempo de espera do fabricante: 8-10 semanas
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- Descrição
- Forma de pagamento
- Remessa
- Embalagem
Parâmetro do produto
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±12V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | UMT3 |
| Série | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 2.3 Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Dissipação de energia (Max) | 200mW (Ta) |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | SC-70, SOT-323 |
| Outros nomes | RJU002N06T106TR |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante | RJU002N06T106 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 18pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - |
| Descrição expandida | N-Channel 60V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3 |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 2.5V, 4.5V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 60V |
| Descrição | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
Outras
| Pacote padrão | 3,000 |
|---|---|
| Outros nomes | RJU002N06T106TR |
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